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晶能光电取得岛状铟镓氮外延结构及其制备方法、Micro LED 芯片专利

信息来源:looeoo.com   时间: 2025-04-17  浏览次数:67


本文源自:金融界

金融界 2025 年 4 月 16 日消息,国家知识产权局信息显示,晶能光电股份有限公司取得一项名为“岛状铟镓氮外延结构及其制备方法、Micro LED 芯片”的专利,授权公告号 CN 119133330 B,申请日期为 2024 年 11 月。

天眼查资料显示,晶能光电股份有限公司,成立于2006年,位于南昌市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38927.9181万人民币。通过天眼查大数据分析,晶能光电股份有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目30次,财产线索方面有商标信息12条,专利信息260条,此外企业还拥有行政许可93个。


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