本文源自:金融界
金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓基LED的外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN120264959A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基LED的外延结构及其制备方法，涉及LED外延技术领域，通过引入具有特殊结构的形貌调节层并选择合适的生长模式来实现这一特殊结构，实现了可控的位错分布，从而提升器件性能。外延结构包括衬底、缓冲层、形貌调节层、N型层、多量子阱层和P型层；形貌调节层中靠近衬底一侧包括多个成核单元，远离衬底一侧还包括层状倾斜结构，位错随着成核单元的生长合并，沿着层状倾斜结构的倾斜方向糅合进入N型层；N型层中的位错集中分布在层状倾斜结构上方区域形成电流扩散通道和应力分散渠道。
